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Sub-100 nm Channel Length Organic Field Effect Transistor Fabricated by Wafer-Scale Nanoimprint Lithography formatIsbn:Softcover - 9783944331492 Demzufolge muss gezwungenermaßen zur Bestimmung

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Demzufolge muss gezwungenermaßen zur Bestimmung und Beschreibung der relevanten Standortfaktoren die [¿]

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Sub-100 nm Channel Length Organic Field Effect Transistor Fabricated by Wafer-Scale Nanoimprint Lithography formatIsbn:Softcover - 9783944331492 Demzufolge muss gezwungenermaßen zur BestimmungThis thesis was performed between October 2010 and October 2013 at the Institute of Semiconductors and Microsystems (IHM) of the Technische Universitt Dresden (TU Dresden). The main task of this work was fabrication of short channel Organic Field Effect Transistors (OFET) using Nanoimprint Lithography (NIL). Both the UV based NIL and the thermal based NIL with wafer scale polymer templates were applied to define OFET channel with lengths down to sub

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